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分子泵入口應裝設防護網(wǎng)，以避免異物進入泵內(nèi)損壞泵轉子和定子葉片。抽氣系統(tǒng)裝有單獨粗抽管路的渦輪分子泵抽氣系統(tǒng)的操作方法與擴散泵抽氣系統(tǒng)相似。在開始粗抽以前，高真空閥和粗抽閥是關著的，而前級管道閥是打開的。首先關閉前級閥，啟動粗抽泵（兼前級泵），打開粗抽閥開始對真空室進行抽氣。在真空室內(nèi)的壓力降到150~100Pa時關閉粗抽閥，打開前級管道閥，再啟動渦輪分子泵（需先接通冷卻系統(tǒng)）。
如果分子泵入口處裝有液氮冷阱，則應在泵加速到額定轉速后（一般需5~10min）加注液氮。1-渦輪分子泵；2-液氮冷阱；3-放氣閥；4-電離規(guī)；5-熱傳導規(guī)；6-粗抽閥；7-機械泵；8-前級管路閥；9-高真空閥。圖1 典型渦輪分子泵抽氣系統(tǒng)粗抽系統(tǒng)的配置隨真空室的容積大小而有所不同。對500L/s或更小的渦輪分子泵來說，可采用一臺雙級旋片泵；1000L/s以上的渦輪分子泵則采用以機械泵為前級泵的羅茨泵機組。
在壓力為100到150Pa時關閉粗抽閥，把真空室切換到渦輪分子泵上。對某些泵，這樣做會引起輕微而滯后的瞬時減速，但這對抽氣并無影響。正如擴散泵抽氣系統(tǒng)那樣，渦輪分子泵系統(tǒng)中的很主要的物質是水蒸氣，其臭氣時間將受液氮冷阱抽速的支配。如果不用液氮冷阱，那么這個系統(tǒng)抽除水蒸氣的速度就會比同樣抽速的無冷阱擴散泵略慢一些。
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分子泵的葉輪是高速旋轉的精密件，在分子泵運轉中，不允許固體雜物落到葉輪上,以避免損壞葉輪。也要防止大氣突然沖入正在運轉中的分子泵。因為這也有可能損壞葉輪，此外,分子泵運轉過程中,要遠離強磁場。結論改變氦質譜檢漏儀的分子泵轉速，檢測信號值發(fā)生變化，儀器在運行時，分子泵轉速改變后，只要改變漏率信號的修正系數(shù)，無需再次定標，即可保證檢測漏率的準確性。
若儀器檢測信號時，信號值偏小，可以考慮降低儀器的分子泵轉速，來提高檢測信號值，提高儀器的檢測靈敏度。：渦輪分子泵應用于角分辨光電子能譜ARPES渦輪分子泵應用于角分辨光電子能譜ARPES。角分辨光電子能譜Angleresolvedphotoemissipectroscopy簡稱ARPES利用光電效應研究固體的電子結構.
光電子在真空飛行的過程中,被一個接受角度很小的能量分析器收集計數(shù).角分辨光電子能譜主要由光源,電子分析器,樣品控制臺以及超高真空的獲得和維護系統(tǒng)組成.分子泵廣泛配套在真空系統(tǒng)已保證超高真空的獲得,同時搭配殘余氣體分析儀PrismaPlus共同使用.
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通用的沉積技術有化學氣相淀積（CVD）、蒸發(fā)和濺射PVD。一般來說，其中還要夾雜低溫（≤500℃）退火工藝等熱處理工藝，用以增進金屬層和半導體之間的低電阻接觸、消除內(nèi)應力等。設備運行過程中需要高潔凈的真空環(huán)境，一般采用以磁懸浮分子泵為主的無油真空系統(tǒng)。
刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程?？涛g的基本目標是在涂膠的硅片上正確地掩膜圖形。現(xiàn)代化的干法刻蝕設備包括復雜的機械、電氣和真空系統(tǒng)，同時配有自動化的刻蝕終點檢測和控制裝置。刻蝕應用工況復雜，清潔性差，充入特種氣體種類繁多，因此需要特殊處理的干泵和磁懸浮分子泵。
離子注入設備：離子注入是指在真空環(huán)境下，當離子束射向固體材料時，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并很終停留在固體材料中的現(xiàn)象。離子注入是半導體表面附近區(qū)域進行摻雜的主要技術，其目的是改變半導體的載流子濃度和導電類型。離子注入機是集成電路制造工序中的關鍵設備，需要高清潔的真空環(huán)境，以保證離子摻雜濃度和劑量的準確性。
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